国度常识产权局信息知晓，一塔半导体（安徽）有限公司央求一项名为“用于MOCVD拓荒的低热传导旋转导气座及MOCVD拓荒”的专利，公开号CN121519018A，央求日历为2026年1月。

专利摘记知晓，本发明公开了一种用于MOCVD拓荒的低热传导旋转导气座及MOCVD拓荒，包括：基座战斗座，其里面设有用于向基座运输气体的导气通说念；导气管固定座，设置于所述基座战斗座的下方；导气管，其上端与所述导气通说念连通，且所述导气管的尖端抵接所述基座战斗座，所述导气管的底端抵接所述导气管固定座；隔热连气儿结构，设置于所述基座战斗座与所述导气管固定座之间，使两者的相邻名义之间造身辨认的隔热马虎；推广散热面结构，设置于所述导气管固定座上，澳客app官网用于加多所述导气管固定座的散热名义积。具有有用减少高温基座向底部精密部件的热传导旅途、减少热量传递、保护磁流体密封件等明锐组件、晋升拓荒开动默契性和使用寿命的优点。

天眼查贵府知晓，一塔半导体（安徽）有限公司，设置于2024年，位于合肥市，是一家以从事专用拓荒制造业为主的企业。企业注册成本613.33万东说念主民币。通过天眼查大数据分析，一塔半导体（安徽）有限公司共对外投资了1家企业，参与招投标方法6次，财产印迹方面有商标信息23条，专利信息26条，此外企业还领有行政许可2个。

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